4-etenylfenolacetat CAS 2628-16-2

P-acetoxistyren kan användas för att syntetisera polyparahydroxistyren som huvudkomponent i en fotoresist (fotoresist). Poly-p-hydroxystyren-serien av kemiskt förstärkta fotoresister är för närvarande de största fotoresistprodukterna i världen, och är en av nyckelteknikerna för att bearbeta foto-etsning integrerade kretsar och tillverkningschips. Foto-etsningstekniken utvecklas från produktionen av 0,3-0,28 μm linjebredd till det djupa ultravioletta ljuset (våglängd 248 nm) för att producera 0,18 μm linjebredd och det ultra-djupa ultravioletta ljuset (våglängd 193 nm) kan användas för att spåra linje bredd till 0. 11 μm mikrokrets. 248 nm fotoresist använder vanligen poly-p-hydroxi-styreenderivat som filmbildande harts, aryljodoniumsalt eller sulfoniumsalt som fotosyragenerator, med användning av kemisk amplifierings-teknik för att släppa fotoacidgeneratorn under ljus. Syran katalyserar sålunda polymerens tvärbindning ( negativ gelning) eller avskyddningsreaktionen (positiv gelatinisering), varigenom avsevärt öka ljuskänsligheten.